用于功率集成电路的SiC-BJT器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种可用于功率集成电路的SiC-BJT及其制作方法，主要解决现有SiC-BJT不能用于功率集成电路的问题。本发明的SiC-BJT自下而上包括：SiC衬底(1)、p型缓冲层(2)、n型集电区(3)、p型基区(4)、n型发射区(5)、钝化层(6)、p型欧姆接触(7)位于p型基区(4)两侧、n型欧姆接触(8)位于n型发射区(5)两侧、发射极(9A)位于n型发射区(5)上、基极(9B)位于p型欧姆接触(7)上、集电极(9C)位于n型欧姆接触(8)上，在集电区(3)与基区(4)界面处设有长度为0.2～0.6um的保护环(10)，在基极电极(9B)处设有长度为0.5～1um场板(11)。本发明具有体积小易于集成以及击穿电压高的优点，可用于功率集成电路制备。

主权项

一种可用于功率集成电路的碳化硅双极型晶体管，自下而上包括衬底(1)，p型缓冲层(2)，n型集电区(3)，p型基区(4)，n型发射区(5)，SiO2/Si3N4钝化层(6)，p型欧姆接触(7)，n型欧姆接触(8)，金属电极(9)，其特征在于：p型碳化硅缓冲层(2)的铝掺杂浓度为1×1018～7×1018cm‑3n型集电区(3)的氮掺杂浓度为5×1015～5×1016cm‑3的；p型基区(4)的铝掺杂浓度为：3×1017～8×1017cm‑3n型发射区(5)的氮掺杂浓度为2×1019～6×1019cm‑3p型欧姆接触(7)的铝掺杂浓度为1×1018～5×1018cm‑3n型欧姆接触(8)的氮掺杂浓度为1×1018～5×1018cm‑3在n型集电区(3)与SiO2/Si3N4钝化层(6)的界面设有保护环(10)，集电极电极(9C)与基极电极(9B)设在同一平面，且在基极电极(9B)处设有场板(11)。