| 发明名称 | 双向晶闸管以及静电保护电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供了双向晶闸管以及静电保护电路，其中双向晶闸管包括：P型半导体衬底；形成于半导体衬底内的第一N阱、P阱以及第二N阱；所述P阱分别与第一N阱以及第二N阱相邻；形成于第一N阱表面区域且相隔离的第一N+型注入区以及第一PMOS晶体管；形成于第二N阱表面区域且相隔离的第二N+型注入区以及第二PMOS晶体管；所述第一PMOS晶体管的源极以及第二PMOS晶体管的漏极均与P阱相连接；所述第一N+型注入区与第一PMOS晶体管的漏极连接阳极，第二N+型注入区与第二PMOS晶体管的源极连接阴极。本发明晶闸管具有双向导电的能力，且触发电压较低，使得静电保护电路具有较强的静电保护能力。 | ||
| 申请公布号 | CN102054838B | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN200910198358.9 | 申请日期 | 2009.11.05 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 单毅;何军 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01)I;H01L29/747(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种双向晶闸管，其特征在于，包括：P型半导体衬底；形成于半导体衬底内的第一N阱、P阱以及第二N阱；所述P阱分别与第一N阱以及第二N阱相邻；形成于第一N阱表面区域且相隔离的第一N+型注入区以及第一PMOS晶体管；形成于第二N阱表面区域且相隔离的第二N+型注入区以及第二PMOS晶体管；所述第一PMOS晶体管的源极以及第二PMOS晶体管的漏极均与P阱相连接；在第一PMOS晶体管以及第二PMOS晶体管中，源区以及漏区均包括位于栅极侧壁底部的LDD轻掺杂区以及位于LDD轻掺杂区外侧的HALO注入区；所述LDD轻掺杂区的掺杂类型为P型轻掺杂；所述HALO注入区的掺杂类型为N型轻掺杂；所述第一PMOS晶体管以及第二PMOS晶体管的栅极均施加不超过阈值的电压；所述第一N+型注入区与第一PMOS晶体管的漏极连接阳极，第二N+型注入区与第二PMOS晶体管的源极连接阴极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||