一种使用金属硬掩膜提高STI特性的方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种使用金属硬掩膜提高STI特性的方法。本发明一种使用金属硬掩膜提高STI特性的方法，通过将传统的氧化物/氮化物结构改为氧化物/氮化物/TiN硬掩膜结构，从而利用金属与非金属在刻蚀速率上的超高选择比，保护氮化物层在STI刻蚀、CMP等工艺过程中的厚度损失，从而降低STI工艺中对初始的氮化物层的厚度的要求，进而降低浅沟槽隔离的应力控制和凸起控制难度，且能有效的避免由于氮化物与硅化物的晶格结构不匹配，造成的脱落现象的发生，且TiN在CMP工艺中易被去除，所以在STICMP中增加一次TiNCMP步骤即可将其完全去除，工艺实施较为简单，最终提高了产品良率及降低了生产成本。

主权项

一种使用金属硬掩膜提高STI特性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在一硅衬底上依次淀积垫氧化物层和垫氮化物层；步骤S2：淀积金属硬掩膜覆盖垫氮化物层的上表面。