基板处理装置的干式清洁方法

摘要

本发明提供一种能够比以往高效地进行干式清洁的基板处理装置的干式清洁方法。该基板处理装置的干式清洁方法通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜，即，氧化金属膜而形成金属氧化物的工序、使金属氧化物与β-二酮反应而形成络合物的工序、和使络合物升华的工序，边将处理腔室内加热，边向处理腔室内供给含有氧和β-二酮的清洁气体，且将清洁气体中的氧相对于β-二酮的流量比设为金属氧化物的产生速度不超过络合物的产生速度的范围。

主权项

一种基板处理装置的干式清洁方法，其特征在于，通过下述工序除去附着在基板处理装置的处理腔室内的金属膜：氧化所述金属膜而形成金属氧化物的工序、使所述金属氧化物与β‑二酮反应而形成络合物的工序、和使所述络合物升华的工序，边将所述处理腔室内加热，边向所述处理腔室内供给含有氧和β‑二酮的清洁气体，且将所述清洁气体中的氧相对于β‑二酮的流量比设为所述金属氧化物的产生速度不超过所述络合物的产生速度的范围。