一种形成双应力刻蚀阻挡层及前金属介电质层的方法

摘要

本发明一种形成双应力刻蚀阻挡层及前金属介电质层的方法，包括：NMOS与PMOS晶体管区域的衬底，其中，还包括在NMOS区域沉积具有拉应力的前金属介电质层，而在PMOS区域沉积具有压应力的前金属介电质层。通过本发明一种形成双应力刻蚀阻挡层及前金属介电质层的方法，有效地使所形成的前金属介电质层的工艺过程变得简单；同时有利于提高NMOS以及PMOS的载流子迁移率，从而提高半导体器件的性能。

主权项

一种形成双应力刻蚀阻挡层及前金属介电质层的方法，包括：NMOS与PMOS晶体管区域的衬底，其特征在于，还包括以下工艺步骤：步骤一，首先在 NMOS与PMOS区域的衬底上沉积缓冲层，其次在所沉积的缓冲层的上表面沉积高拉应力阻挡层，最后在高拉应力阻挡层上表面沉积HARP薄膜；步骤二，在所述NMOS区域上方的HARP薄膜上表面沉积拉应力前金属介电质层；步骤三，对所述PMOS区域的上方进行光刻，直至露出PMOS区域，之后去除NMOS区域上方HARP薄膜上表面的拉应力前金属介电质层；步骤四，在所述NMOS上方HARP薄膜上表面以及PMOS区域上表面沉积高压力刻蚀阻挡层；步骤五，在PMOS区域上的高压力刻蚀阻挡层上表面沉积压应力前金属介电质层；步骤六，对压应力前金属介电质层以及下表面的高压力阻挡层进行化学机械研磨直至将覆盖于HARP薄膜上高压力阻挡层完全去除。