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氯磺隆分子印迹SPR传感器芯片的制备方法，其特征在于氯磺隆分子印迹SPR传感器芯片的制备方法按以下步骤进行：一、镀膜：采用真空蒸发镀膜的方法，在玻璃片上先沉积厚度为1.5nm～2.5nm的铬，然后再沉积厚度为45nm～55nm的纯度为99.9999％的金，得到镀膜玻璃片；二、清洗：将质量百分浓度为30％的H2O2与质量百比浓度为98％的H2SO4的按体积比为1∶3的比例混合均匀，得到洗液；然后用该洗液清洗步骤一得到的镀膜玻璃片，再用去离子水清洗，最后用无水乙醇清洗，晾干后得到芯片基底；三、氯磺隆分子印迹聚合物纳米微球制备：称取氯磺隆、甲基丙烯酸二乙氨基乙酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯和偶氮二异丁腈，加入到乙腈中，升温至60℃～65℃并保持20～24h，将得到的产物用模板去除剂去除氯磺隆，然后干燥，得到氯磺隆分子印迹聚合物纳米微球；其中氯磺隆与甲基丙烯酸二乙氨基乙酯的质量比为1∶4，氯磺隆与三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯的质量比为1∶4，偶氮二异丁腈的质量为甲基丙烯酸二乙氨基乙酯与三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯质量之和的2％～2.5％，氯磺隆的物质的量与乙腈的体积的比为1mmol∶200mL；四、称取步骤三制备的氯磺隆分子印迹聚合物纳米微球和聚氯乙烯、邻苯二甲酸二丁酯加入到四氢呋喃中，用超声波混匀，得到镀膜液；其中聚氯乙烯与步骤三制备的氯磺隆分子印迹聚合物纳米微球的质量比为1∶2.5，邻苯二甲酸二丁酯的体积占四氢呋喃体积的8％，氯磺隆分子印迹聚合物纳米微球与聚氯乙烯的质量之和与四氢呋喃体积比为(3.0mg～3.5mg)∶1mL；五、将步骤四制备的镀膜液滴在步骤二制备的芯片基底中央，然后将芯片基底放在旋涂器上旋涂成膜，得到氯磺隆分子印迹SPR传感器芯片。 |
