| 发明名称 | 一种低应力中子转换薄膜元件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于精密光学元件制作技术领域，公开了一种低应力中子转换薄膜元件及其制备方法。该元件包括基底(1)和碳化硼/铬周期多层膜(2)，铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)交替沉积于基底(1)表面上，铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)的数目相同。制备方法如下：首先对基底(1)进行清洗，然后在基底(1)上镀制碳化硼/铬周期多层膜(2)。本发明的基于碳化硼/铬周期多层膜的低应力中子转换薄膜元件具有低应力、高制作效率、价格便宜、中子转换性能满足需求等优势，更适于实现此类产品的产业化。 | ||
| 申请公布号 | CN102602070A | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN201210044966.6 | 申请日期 | 2012.02.27 |
| 申请人 | 同济大学 | 发明人 | 张众;梁玉;王占山 |
| 分类号 | B32B9/04(2006.01)I;B32B15/00(2006.01)I;B32B17/00(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I | 主分类号 | B32B9/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人 | 吴林松 |
| 主权项 | 一种低应力中子转换薄膜元件，其特征在于：该元件包括基底(1)和碳化硼/铬周期多层膜(2)，铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)交替沉积于基底(1)表面上，铬薄膜层(3)和碳化硼薄膜层(4)的数目相同。 | ||
| 地址 | 200092 上海市杨浦区四平路1239号 | ||