发明名称 |
垂直沟道晶体管阵列及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种垂直沟道晶体管阵列及其制作方法。该垂直沟道晶体管阵列包括多条埋入式位线、多条位线接触窗、多个埋入式字线与漏电流隔离结构。多个半导体柱构成垂直沟道晶体管的有源区。多条埋入式位线平行设置于半导体基底中,在行方向延伸。多条位线接触窗分别设置于埋入式位线的一侧。多条埋入式字线,平行设置于埋入式位线上方,在列方向延伸,且隔着栅介电层而连接同一列的半导体柱。漏电流隔离结构设置于埋入式位线末端部分,以避免相邻位线接触窗之间产生漏电流。 |
申请公布号 |
CN102610612A |
申请公布日期 |
2012.07.25 |
申请号 |
CN201110085789.1 |
申请日期 |
2011.04.07 |
申请人 |
力晶科技股份有限公司 |
发明人 |
永井享浩 |
分类号 |
H01L27/108(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/108(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
彭久云 |
主权项 |
一种垂直沟道晶体管阵列,包括:多个半导体柱,设置于半导体基底中,排列成行和列的阵列,各半导体柱构成垂直沟道晶体管的有源区;多条埋入式位线,平行设置于该半导体基底中,在行方向延伸,该多条埋入式位线电性连接同一行的该多个半导体柱;多条埋入式字线,平行设置于该多条埋入式位线上方,在列方向延伸,且隔着栅介电层而连接同一列的该多个半导体柱,其中各埋入式字线连接同一列的该多个半导体柱的第一侧面,且一条埋入式字线对应连接一列的该多个半导体柱。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |