| 发明名称 | 一种去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法。本发明提出一种去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法，通过采用远程系统产生等离子体或臭氧发生器产生活性的O+进行灰化工艺，不仅可以达到同样去除无定形碳的效率，而且对硅片表面的离子损伤较小，从而提高了硅片的循环利用率。 | ||
| 申请公布号 | CN102610493A | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN201210077702.0 | 申请日期 | 2012.03.22 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 郑春生 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人 | 王敏杰 |
| 主权项 | 一种去除无定形碳薄膜循环利用硅片的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在反应腔室内，采用远程系统产生等离子体或臭氧发生器产生活性的O+进行灰化工艺，以去除硅片上无定形碳层；步骤S2：去除残余的聚合物和表面氧化物层。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 | ||