| 发明名称 | 半导体发光元件用外延晶片及半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，以及采用该半导体发光元件用外延晶片来制作的半导体发光元件，该半导体发光元件用外延晶片能控制Zn从p型接触层向p型包覆层和活性层的扩散量。本发明提供一种半导体发光元件用外延晶片，在n型GaAs基板(1)上至少依次层叠由AlGaInP系材料形成的混晶所构成的n型包覆层(4)、活性层(6)和掺杂Mg的p型包覆层，以及p型接触层(13)，所述p型接触层(13)从所述n型GaAs基板(1)侧开始依次具有掺杂Mg的接触层(13b)和掺杂Zn的接触层(13a)至少两个层，其特征在于，在所述掺杂Mg的p型包覆层(8，10)和所述p型接触层(13)之间，具备掺杂Zn的Zn掺杂层(11)。 | ||
| 申请公布号 | CN101447540B | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN200810169999.7 | 申请日期 | 2008.10.16 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 竹内隆;助川俊光 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01S5/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件用外延晶片，其结构为，在n型GaAs基板上至少依次层叠由AlGaInP系材料形成的混晶所构成的n型包覆层、活性层、掺杂Mg的p型包覆层以及p型接触层；所述p型接触层从所述n型GaAs基板侧开始依次具有掺杂Mg的接触层和掺杂Zn的接触层的至少两个层，其特征在于，在所述掺杂Mg的p型包覆层和所述p型接触层之间，具备掺杂Zn的Zn掺杂层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||