发明名称 防止寄生的子波束影响离子植入的技术
摘要 本发明揭示用于防止寄生的子波束影响离子植入的技术。在一个特定的示范性实施例中,所述技术可实现为一种用于防止寄生的子波束影响离子植入的设备。所述设备可包括经配置以来回地扫描点波束进而形成横跨预定宽度的离子波束的控制器。所述设备还可包括小孔机构,其在保持固定时允许点波束穿过。所述设备可进一步包括同步机构,其耦合到控制器和小孔机构,且经配置以致使小孔机构与经扫描的点波束同步地移动,从而允许经扫描的点波束穿过,但阻挡与点波束相关联的一个或一个以上寄生的子波束。
申请公布号 CN101438368B 申请公布日期 2012.07.25
申请号 CN200680047932.5 申请日期 2006.12.06
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 拉塞尔·J·罗;乔纳森·G·英格兰;史蒂夫·E·克劳斯;艾立克·D·赫尔曼森
分类号 H01J3/14(2006.01)I 主分类号 H01J3/14(2006.01)I
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 代理人 寿宁
主权项 一种防止寄生的子波束影响离子植入的设备,包括: 控制器,经配置以前后地扫描点波束,进而形成横跨预定宽度的离子波束; 小孔机构,在保持固定时允许所述点波束穿过;以及 同步机构,耦合到所述控制器和所述小孔机构,且经配置以致使所述小孔机构与扫描的所述点波束同步地移动,从而允许扫描的所述点波束穿过,但阻挡与所述点波束相关联的一个或一个以上寄生的子波束。
地址 美国麻萨诸塞州