| 发明名称 | 用于使集成电路表面暴露的方法和设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种通过烧蚀初始覆盖集成电路的聚合物涂层使所述集成电路暴露的方法，其特征在于，所述方法包括将激光辐射和等离子体组合施加到初始覆盖所述集成电路的所述涂层。 | ||
| 申请公布号 | CN101611482B | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN200780050958.X | 申请日期 | 2007.12.12 |
| 申请人 | 国家空间研究中心 | 发明人 | R·德斯朴拉特斯;M·欧贝因 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;B23K26/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 刘倜 |
| 主权项 | 用于通过烧蚀初始覆盖集成电路的聚合物涂层使所述集成电路暴露的方法，其特征在于，所述方法包括将激光辐射和等离子体组合施加到初始覆盖所述集成电路的所述涂层，所述组合施加是在相同的容器(16)中执行的。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||