| 发明名称 | 激光分段切割 | ||
| 摘要 | 通过将长切割路径(112)分成多个较短的段(122)，从约10μm到1mm，提高了穿过硅和类似材料的UV激光切割的产量。在将激光输出(32)移到第二短段并在第二段(122)内扫描预定的掠射束数目之前，在第一短段(122)内扫描激光输出(32)预定的掠射束数目。切口尺寸，段尺寸(126)，和段交叠(136)可被操纵，以便将沟道回填的量和类型最小化。采用实时监视以便减少切割已经完成的切割路径(112)的再扫描部分。使激光输出(32)的偏振方向和切割方向相关联以便进一步提高产量。可以采用这一技术用多种不同激光和波长来切割多种材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1788916B | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN200510130176.X | 申请日期 | 2002.06.07 |
| 申请人 | 电子科学工业公司 | 发明人 | J·N·奥布赖恩;L·C·邹;Y·孙 |
| 分类号 | B23K26/36(2006.01)I;B23K26/06(2006.01)I;B26D9/00(2006.01)I;H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | B23K26/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种切割晶片的多步骤方法，所述晶片具有晶片衬底和表面层，所述表面层包括位于所述晶片衬底的顶表面或底表面上的陶瓷、玻璃、聚合物或金属的薄膜，所述方法包括：采用在加工参数下运行的紫外光激光器来切割在所述晶片衬底的所述顶表面或底表面上的陶瓷、玻璃、聚合物或金属薄膜的所述表面层；以及在所述表面层已被清除后，采用532nm的激光器、红外光激光器或在不同的加工参数下运行的所述紫外光激光器来透割所述晶片衬底。 | ||
| 地址 | 美国俄勒冈州 | ||