| 发明名称 |
半导体发光芯片及其制造方法 |
| 摘要 |
本发明提供一种半导体发光芯片，其包括基板及设置在该基板上的发光结构层，该发光结构层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，基板与发光结构层之间还具有缓冲层及包覆层，该缓冲层包括沿该基板延伸方向生长的氮化物纳米结构，所述包覆层由氮化物纳米结构的顶面生长而成。本发明还提供一种制造该半导体发光芯片的方法。 |
| 申请公布号 |
CN102610717A |
申请公布日期 |
2012.07.25 |
| 申请号 |
CN201110022780.6 |
申请日期 |
2011.01.20 |
| 申请人 |
鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
发明人 |
曾坚信 |
| 分类号 |
H01L33/02(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种半导体发光芯片，其包括基板及设置在该基板上的发光结构层，该发光结构层包括依次生长的第一半导体层、发光层及第二半导体层，其特征在于：基板与发光结构层之间还具有缓冲层及包覆层，该缓冲层包括沿该基板延伸方向生长的氮化物纳米结构，所述包覆层由氮化物纳米结构的顶面生长而成。 |
| 地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 |
