一种薄膜电致发光器件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硅凝胶包覆掺杂半导体量子点的薄膜电致发光器件制备方法。所述薄膜电致发光器件包括依次设置的ITO导电玻璃层、第一绝缘层、发光层、第二绝缘层、金属Al电极。所述发光层为SiO2凝胶包覆的掺杂半导体量子点，采用硅凝胶包覆掺杂半导体量子点制备发光层可以提高发光层的致密程度，有效增强发光层的抗击穿能力，延长薄膜电致发光器件的使用寿命，提高发光效率。同时在以硅凝胶包覆掺杂半导体量子点为发光层的薄膜电致发光器件制备中，控制发光层的厚度也变得相对容易。同时通过本方法可以实现不同发光的薄膜电致发光器件。本发明还提供了该器件的制备方法。

主权项

一种薄膜电致发光器件，其特征在于该发光器件包括依次设置的ITO导电玻璃层、第一绝缘层、发光层、第二绝缘层和金属电极层，所述发光层为SiO2凝胶包覆的掺杂半导体量子点ZnSe:Mn/ZnS薄膜。