发明名称 | 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 | ||
摘要 | 一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n-GaN层;步骤3:在n-GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板;步骤4:在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层;步骤5:在GaN过渡层上生长InGaN量子盘;步骤6:在InGaN量子盘上生长p-GaN层,形成基片;步骤7:将基片一侧的部分刻蚀掉,刻蚀深度到达n-GaN层内,形成台面;步骤8:在n-GaN层的台面上制作下电极;步骤9:在p-GaN层上制作上电极,完成发光二极管的制作。由于本方法采用的是纳米的模板的基底,能很好地释放应力,从而降低Droop效应,增加LED的发光效率。 | ||
申请公布号 | CN102610715A | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
申请号 | CN201210093601.2 | 申请日期 | 2012.03.31 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 孙波;赵丽霞;伊晓燕;刘志强;魏学成;王国宏 |
分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种纳米无荧光粉白光氮化镓发光二极管的制作方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底;步骤2:在衬底上外延生长GaN缓冲层1和n‑GaN层;步骤3:在n‑GaN层上通过纳米技术制作GaN纳米线模板;步骤4:在GaN纳米线模板上生长GaN过渡层;步骤5:在GaN过渡层上生长InGaN量子盘;步骤6:在InGaN量子盘上生长p‑GaN层,形成基片;步骤7:将基片一侧的部分刻蚀掉,刻蚀深度到达n‑GaN层内,形成台面;步骤8:在n‑GaN层的台面上制作下电极;步骤9:在p‑GaN层上制作上电极,完成发光二极管的制作。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |