发明名称 |
减小热载流子注入损伤的MOS器件制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种减小热载流子注入损伤的MOS器件制作方法,通过在所述漏极区域上方的侧墙沉积层上形成光刻胶层,并采用中性离子对源极区域上方的侧墙沉积层进行离子注入的方法,使得刻蚀后源极侧墙的截面宽度相对较小,而漏极侧墙的截面宽度相对增大。当栅极加上电压后,在漏极产生的纵向电场强度减弱,因此,由横向电场加速的载流子碰撞产生的电子空穴对,空穴会在较弱的纵向电场作用下向栅极中注入,从而减小了由于热载流子注入而形成的栅极电流,减小了半导体器件热载流子注入的损伤。 |
申请公布号 |
CN102610502A |
申请公布日期 |
2012.07.25 |
申请号 |
CN201210081226.X |
申请日期 |
2012.03.23 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
俞柳江 |
分类号 |
H01L21/266(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/266(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种减小热载流子注入损伤的MOS器件制作方法,其特征在于,包括:在衬底上形成栅极结构,所述衬底包括源极区域和漏极区域;以所述栅极结构为掩膜,在栅极结构两侧的衬底内进行轻掺杂,形成源极延伸区和漏极延伸区;在所述衬底上形成侧墙沉积层;在所述漏极区域上方的侧墙沉积层上形成光刻胶层;采用中性离子对源极区域上方的侧墙沉积层进行离子注入;去除所述光刻胶层,对所述侧墙沉积层进行刻蚀,以在所述源极区域上方形成源极侧墙,在所述漏极区域上方形成漏极侧墙,所述漏极侧墙的截面宽度大于所述源极侧墙的截面宽度;进行源漏重掺杂以及退火工艺,形成源极重掺杂区和漏极重掺杂区,所述漏极重掺杂区和源极重掺杂区为非对称结构,所述源极重掺杂区比漏极重掺杂区更靠近沟道。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |