| 发明名称 | 用于同时双面去除材料式加工半导体晶片的嵌件托架和方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及适合于接收一个或多个半导体晶片以在磨削装置、研磨装置或抛光装置的两个工作盘之间对其进行双面加工的嵌件托架，其包括具有第一表面和第二表面的由第一材料组成的芯部，其中第一表面和第二表面各自带有完全或部分地覆盖第一表面和第二表面的由第二材料组成的涂层，以及至少一个用于接收半导体晶片的开口，其中涂层的背离芯部的表面具有由凸起和凹坑构成的结构，其特征在于，所述结构的凸起和凹坑的相关长度在0.5mm至25mm的范围内，并且所述结构的纵横比在0.0004至0.4的范围内。本发明还涉及用于同时双面去除材料式加工半导体晶片的方法，其中使用所述嵌件托架。 | ||
| 申请公布号 | CN102610510A | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN201210023094.5 | 申请日期 | 2012.01.19 |
| 申请人 | 硅电子股份公司 | 发明人 | G·皮奇;M·克斯坦 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;B24B37/04(2012.01)I;B24B37/34(2012.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 过晓东 |
| 主权项 | 适合于接收一个或多个半导体晶片以在磨削装置、研磨装置或抛光装置的两个工作盘之间对其进行双面加工的嵌件托架，其包括具有第一表面和第二表面的由第一材料组成的芯部，其中第一表面和第二表面各自带有完全或部分地覆盖第一表面和第二表面的由第二材料组成的涂层，以及至少一个用于接收半导体晶片的开口，其中涂层的背离芯部的表面具有由凸起和凹坑构成的结构，其特征在于，所述结构的凸起和凹坑的相关长度在0.5mm至25mm的范围内，并且所述结构的纵横比在0.0004至0.4的范围内。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||