| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明在于提供一种处理容器的侧壁的温度控制性优异，并且能够抑制等离子体对基板的损伤的等离子体处理装置。等离子体装置(1)具有设置于处理容器(11)上部的与载置台(2)相对置的第1电极(31)以及第2电极(32)、对第1电极(31)和第2电极(32)之间供给处理气体的气体供给部(4)、为了将第1电极(31)和第2电极(32)之间供给的处理气体等离子体化而对电极(31、32)之间施加高频电力的高频电源部(33)、以及自处理容器(11)下部对处理容器(11)内的气氛进行真空排气的排气装置(14)。载置台(2)上的基板B附近的等离子体的电子温度降低，能够抑制等离子体对基板B的损伤，另外由于能够使用金属作为处理容器(11)的材料，其温度控制性良好。 | ||
| 申请公布号 | CN101601125B | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN200780049914.5 | 申请日期 | 2007.12.27 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 泽田郁夫;P·芬泽克;大下辰郎;松崎和爱;康松润 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，具有处理容器和在所述处理容器内设置的载置台，利用将处理气体等离子体化而得到的等离子体，对载置于所述载置台上的基板进行处理，其特征在于，包括：在所述处理容器的上部与所述载置台相对置地设置的第1电极和第2电极；对所述第1电极和所述第2电极之间供给处理气体的气体供给部，该气体供给部，位于所述第1电极和所述第2电极上方，与所述载置台相对置，并具有贯通设置有大量气体供给孔的板状体；与所述第1电极和所述第2电极中的至少一方相连接，对这些电极间施加高频电力，以使供给到所述第1电极和所述第2电极之间的所述处理气体等离子体化的高频电源部；以及连结在所述处理容器的下部，对该处理容器内的气氛进行真空排气的排气装置；在所述气体供给部的下表面，形成有相互平行地在横向隔着间隔延伸的多个线状突起，所述线状突起作为所述第1电极和所述第2电极中的一方的一部分而构成，所述第1电极和所述第2电极中的另一方位于所述线状突起的侧方或者下方。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||