| 发明名称 | 多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅-金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构，该技术利用两个测温电阻分别测量热稳态时热电偶冷、热端的实际温差，测量热电偶堆的开路电压，并通过简单计算得到多晶硅-金属热电偶的塞贝克系数。本发明的测试结构的结构简单，制作方便，采用普通的MEMS表面加工工艺即可得到，避免了复杂的悬空结构和体加工工艺，测量温度为热稳定时热电偶堆的热端与冷端的实际温度值，不需要考虑辐射、对流等因素的影响，测试要求低，测试方法及测试参数值稳定，计算简单可靠。 | ||
| 申请公布号 | CN102608153A | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN201210005598.4 | 申请日期 | 2012.01.10 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 李伟华;袁风良;周再发;蒋明霞;刘海韵 |
| 分类号 | G01N25/20(2006.01)I;G01K15/00(2006.01)I | 主分类号 | G01N25/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
| 主权项 | 一种多晶硅‑金属热电偶塞贝克系数的在线测试结构，其特征在于，包括绝缘衬底、发热电阻(101)、第一多晶硅电阻(103)、第二多晶硅电阻(105)、均热板(102)和热电偶堆；发热电阻(101)和第二多晶硅电阻(105)分别设置在绝缘衬底上，均热板(102)包裹在发热电阻(101)上，第一多晶硅电阻(103)位于均热板(102)之上，热电偶堆的热端位于均热板(102)上，冷端位于绝缘衬底上，发热电阻(101)、第一多晶硅电阻(103)、第二多晶硅电阻(105)和热电偶堆的两端分别设有金属电极(107)。 | ||
| 地址 | 210096 江苏省南京市四牌楼2号 | ||