一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法

摘要

本发明涉及一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，这种方法包括以下步骤：首先选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)，在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)和光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，光刻出开口的图形；腐蚀形成第一通孔(6)，深刻蚀得到第二通孔(7)；接着将光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，得到甩胶套(8)；然后将芯片(4)放入甩胶套(8)的第二通孔(7)，甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，支持薄膜(9)固定在甩胶机上；将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面进行甩胶，得到芯片表面厚度均匀的光刻胶(11)。该技术能够有效减少光刻胶边的厚度，提高芯片面积的利用率，并增加后续工艺的完整性。

主权项

一种在微电子或光电子芯片上的光刻胶沉积的方法，其特征在于：包括以下步骤：1)选取与芯片(4)厚度一致的基片(1)；2)在基片(1)上沉积硬掩膜层(2)；3)在硬掩膜层(2)上沉积光刻胶(3)，用芯片(4)作为掩膜，使用光刻技术在光刻胶(3)上光刻出中央开口的图形；4)使用腐蚀液腐蚀掉与光刻胶中央开口部分(5)对应的硬掩膜层，形成带第一通孔(6)的硬掩膜层(2)，第一通孔(6)与芯片的大小一致；5)使用刻蚀技术对基片(1)进行深刻蚀，将基片(1)刻穿，得到大小及高度与芯片(4)一致的第二通孔(7)；6)将带有第二通孔(7)的基片(1)上的光刻胶(3)和硬掩膜层(2)去除，至此得到甩胶套(8)；7)将芯片(4)放入甩胶套(8)中央的第二通孔(7)；8)将装有芯片(4)的甩胶套(8)固定在支撑薄膜(9)上，并将支持薄膜(9)固定在甩胶机上；9)将光刻胶(10)滴在芯片(4)表面并充分扩散，待充分填充芯片(4)与甩胶套(8)之间的间隙后，启动甩胶机进行甩胶，得到芯片(4)表面厚度均匀的光刻胶(11)。