多光区发光Ag、Ga、N 掺杂ZnO薄膜及其制备方法

摘要

多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜及其制备方法，它涉及ZnO薄膜及其制备方法。本发明是要解决现有的单一掺杂的ZnO薄膜发光强度弱、发光区域少的技术问题。本发明的多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜是在衬底上溅射一层Ag、Ga、N共同掺杂的ZnO薄膜；方法：将ZnO粉末和Ga2O3粉末热压成陶瓷片，再贴上Ag，得到靶材；将靶材和衬底放到射频磁控溅射镀膜机中，将溅射室抽真空后通入N2和O2的混合气体，通过溅射得到膜片，膜片退火后，得到多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜，该薄膜在紫外光、紫光、红橙光区域同时发光，可用于光电器件领域。

主权项

多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜，其特征在于多光区发光Ag、Ga、N掺杂ZnO薄膜是在衬底上溅射一层Ag、Ga、N共同掺杂的ZnO薄膜。