异质结型太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明涉及一种异质结型太阳能电池，包括半导体晶片，具有预定的极性；第一半导体层，形成于半导体晶片的一个表面之上；第二半导体层，形成于半导体晶片的另一表面之上。第二半导体层与第一半导体层的极性不相同；第一电极，形成于第一半导体层之上；以及第二电极，形成于第二半导体层之上。第一半导体层包括轻浓度掺杂的第一半导体层，位于该半导体晶片的一个表面之上；以及高浓度掺杂的第一半导体层，位于轻浓度掺杂的第一半导体层之上。根据本发明，轻浓度掺杂半导体层首先形成于半导体晶片的表面上，然后将高浓度掺杂半导体层形成于轻浓度掺杂半导体层之上，由此防止在半导体晶片的表面之中出现缺陷，并且通过增加打开电路电压提高电池效率。

主权项

一种异质结型太阳能电池，包括：半导体晶片，具有预定的极性；第一半导体层，形成于该半导体晶片的一个表面之上；第二半导体层，形成于该半导体晶片的另一表面之上，其中该第二半导体层与该第一半导体层的极性不相同；第一电极，形成于该第一半导体层之上；以及第二电极，形成于该第二半导体层之上；其中该第一半导体层包括：轻浓度掺杂的第一半导体层，位于该半导体晶片的一个表面之上；以及高浓度掺杂的第一半导体层，位于该轻浓度掺杂的第一半导体层之上。