MEMS器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种MEMS器件及其制造方法，该MEMS器件在保持结构体的机械特性的同时降低了电阻值，并具有优良的工作特性。该MEMS器件具有：在硅基板(1)上形成的由多晶硅构成的固定电极(10)；可动电极(20)，其与形成在硅基板(1)上的氮化膜(3)隔开间隙并以机械可动的状态配置，而且由多晶硅构成；以及配线层叠部，其在可动电极(20)周围形成，并以覆盖固定电极(10)的一部分的方式形成，该配线层叠部按顺序层叠有第一层间绝缘膜(13)、第一配线层(23)、第二层间绝缘膜(14)、第二配线层(24)以及保护膜(19)，固定电极(10)的被上述配线层叠部覆盖的部分转化为了硅化物，形成有硅化物部分(25)。

主权项

一种MEMS器件，其特征在于，该MEMS器件具有：半导体基板；固定电极，其以固定在所述半导体基板上的状态设置，并具有多晶硅；层间绝缘膜，其形成在所述半导体基板和所述固定电极上，并且在所述半导体基板和所述固定电极上的一部分具有开口部；可动电极，其设置于所述开口部，并与所述固定电极的露出于所述开口部的部分隔开预定间隙以可动状态设置；和配线层，其形成在所述层间绝缘膜上，并与所述固定电极电连接，在所述固定电极上形成有第一硅化物层，所述第一硅化物层含有钨或钼。