一种二硒化锡薄膜的制备方法

摘要

一种二硒化锡薄膜的制备方法，属于光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗基片，然后将SnCl2·2H2O、SeO2放入溶剂中，并调整pH值，用旋涂法在基片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触，最后进行干燥、反应，得到二硒化锡薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得二硒化锡光电薄膜有较好的连续性和均匀性，为制备高性能的二硒化锡光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。

主权项

一种二硒化锡薄膜的制备方法，包括如下顺序的步骤：a.玻璃基片或硅基片的清洗；b.将SnCl2·2H2O、SeO2放入30～100份的溶剂中，使溶液中的物质充分溶解，并调整pH值至3～10；c.制作外部均匀涂抹步骤b所述溶液的基片，并烘干，得到前驱体薄膜样品；d.将步骤c所得前驱体薄膜样品置于支架上，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与联氨接触；e.将步骤d所得物，进行干燥，得到二硒化锡薄膜。