半导体晶片蚀刻设备

摘要

本实用新型公开一种半导体晶片蚀刻设备，主要由供料装置、收料装置、蚀刻装置、控制装置和若干伺服机械手构成，所述供料装置包括用于放置蚀刻前晶片的供料晶片篮，所述收料装置包括用于放置蚀刻后晶片的收料晶片篮，所述控制装置控制所述半导体晶片蚀刻设备内所有装置的运行，若干所述伺服机械手在所述供料晶片篮、蚀刻装置和收料晶片篮之间传递晶片，该半导体晶片蚀刻设备可以实现全自动化操作，更高效高质的去除晶片表面的氧化膜；蚀刻装置可以是气体蚀刻装置，通入氟化氢气体与晶片表面接触去除氧化膜，适用于普通蚀刻和宽边蚀刻，宽边蚀刻时配合平口检测系统的平口对位以及供料伺服机械手的中心对位能够完成传统蚀刻所不能完成的宽边蚀刻。

主权项

一种半导体晶片蚀刻设备，其特征在于：设有供料装置、收料装置、蚀刻装置、控制装置和若干伺服机械手，所述供料装置包括用于放置蚀刻前晶片的供料晶片篮，所述收料装置包括用于放置蚀刻后晶片的收料晶片篮，所述控制装置控制所述半导体晶片蚀刻设备内所有装置的运行，若干所述伺服机械手在所述供料晶片篮、蚀刻装置和收料晶片篮之间传递晶片。