基于铜互连中以金属钌作为粘附阻挡层的抛光工艺的抛光液

摘要

本发明属于微电子工艺技术领域，具体为一种基于铜互连中以金属钌作为粘附阻挡层的抛光工艺的抛光液。该抛光液组分原料按重量百分数计为：抑制剂0.001%~10%，氧化剂0.1%~10%，研磨颗粒1%~25%，表面活性剂0.001~5%，余量为水；上述原料混合后，通过pH值调节剂调节pH值至8.5~9.5；该抑制剂选自同时含有一个或多个氨基和羧基的有机酸，氧化剂选自过氧化氢、过硫酸铵、高碘酸钾、溴酸钾、过硼酸盐硝酸铈铵等；研磨颗粒选自SiO2水溶胶或金属氧化物Al2O3、CeO2或TiO2的水溶胶等；本发明的抛光液呈弱碱性，不腐蚀污染设备，容易清洗；可以1:1的抛光选择比对钌（Ru）与铜（Cu）进行抛光，抛光后平整性好。

主权项

一种基于铜互连中以金属钌作为粘附阻挡层的抛光工艺的抛光液，其特征在于，该抛光液原料组分按重量百分数计如下：抑制剂  0.001‑10 % ，氧化剂  0.1‑10 %，研磨颗粒 1‑25 %，表面活性剂  0.001‑5 %，余量为水；pH值为8.5‑9.5；其中，所述抑制剂选自同时含有一个或多个氨基，以及羧基的有机酸中的任意一种，或这些有机酸中的几种； 所述氧化剂选自氧化氢、过硫酸铵、高碘酸钾、溴酸钾、过硼酸盐、硝酸铈铵中的任意一种，或其中的几种；所述的研磨颗粒选自SiO2水溶胶或金属氧化物Al2O3、CeO2或TiO2的水溶胶中的任意一种，或其中的几种；研磨颗粒直径为30‑100nm；所述的表面活性剂选自烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪醇聚氧乙烯醚、十二烷基胺、十二烷基苯磺酸盐、聚乙烯乙二醇、聚氧乙烯烷基胺中的任意一种，或其中的几种。