| 发明名称 | 一种用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，包括：绝缘衬底；位于所述绝缘衬底上的阻挡层及非晶硅薄膜层；位于所述非晶硅薄膜上的氧化物层，所述氧化物层上光刻有间距相同、尺寸相等的凹槽；位于所述氧化物层及凹槽表面的金属诱导层，其中，所述非晶硅薄膜经过退火处理后完全转变为连续带状晶畴多晶硅。利用本发明的多层膜结构可以在较短的退火时间内获得具有带状连续晶畴的多晶硅薄膜，使整个多晶硅薄膜成为薄膜晶体管的有源层。 | ||
| 申请公布号 | CN102610633A | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN201110020959.8 | 申请日期 | 2011.01.19 |
| 申请人 | 广东中显科技有限公司 | 发明人 | 赵淑云;郭海成;凌代年;邱成峰;彭华军;黄飚 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B17/00(2006.01)I;B32B15/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 | 代理人 | 王凤华 |
| 主权项 | 一种用于制备多晶硅薄膜的多层膜结构，包括：绝缘衬底；位于所述绝缘衬底上的阻挡层及非晶硅薄膜层；位于所述非晶硅薄膜上的氧化物层，所述氧化物层上光刻有间距相同、尺寸相等的凹槽；位于所述氧化物层及凹槽表面的金属诱导层，其中，所述非晶硅薄膜经过退火处理后完全转变为连续带状晶畴多晶硅。 | ||
| 地址 | 528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号 | ||