发明名称 一种基于相位修正的RCS外推方法
摘要 本发明涉及一种基于相位修正的RCS外推方法,其特征在于步骤如下:在微波暗室中对参考平板进行近距RCS测试,得到参考平板的散射值Eplane_s(α);计算参考平板的远场理论值Eplane_∞(α);在微波暗室中对目标进行近距RCS测试,得到目标在该距离下的散射值Es(α);计算F-1[Esi(α)]后对F-1[Esi(α)]进行傅里叶变换,得到目标的远场散射值Esi(α)。本发明方法,通过RCS近距离测试,对得到的数据做相位修正就可获得远场,这样就能在缩减了测试距离的情况下,实现RCS测试,使RCS测试更加方便。
申请公布号 CN102608591A 申请公布日期 2012.07.25
申请号 CN201210089441.4 申请日期 2012.03.30
申请人 西北工业大学 发明人 李南京;陈卫军;李瑛;刘琦;刘宁;张麟兮;郭淑霞;周扬
分类号 G01S7/41(2006.01)I;G01S7/40(2006.01)I 主分类号 G01S7/41(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 61204 代理人 王鲜凯
主权项 1.一种基于相位修正的RCS外推方法,其特征在于步骤如下:步骤1:在微波暗室中对参考平板进行近距RCS测试,得到参考平板的散射值E<sub>plane_s</sub>(α),其中α为测试方位角;步骤2:计算参考平板的远场理论值E<sub>plane_∞</sub>(α);<img file="FDA0000148572130000011.GIF" wi="555" he="123" />其中<img file="FDA0000148572130000012.GIF" wi="55" he="61" />ω分别为在测试频率下的平板散射场的传播矢量与角频率。A为散射场的矢量磁位,<img file="FDA0000148572130000013.GIF" wi="499" he="118" />μ为自由空间磁导率,J为平板面电流密度,这里假设为1,R为板上的每点到测试点的距离,k为波数;步骤3:在微波暗室中对目标进行近距RCS测试,得到目标在该距离下的散射值E<sub>s</sub>(α);步骤4:根据下式计算F<sup>-1</sup>[E<sub>si</sub>(α)];<maths num="0001"><![CDATA[<math><mrow><msup><mi>F</mi><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></msup><mo>[</mo><msub><mi>E</mi><mi>si</mi></msub><mrow><mo>(</mo><mi>&alpha;</mi><mo>)</mo></mrow><mo>]</mo><mo>&ap;</mo><mfrac><mrow><msup><mi>F</mi><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></msup><mo>[</mo><msub><mi>E</mi><mrow><mi>plane</mi><mo>_</mo><mo>&infin;</mo></mrow></msub><mrow><mo>(</mo><mi>&alpha;</mi><mo>)</mo></mrow><mo>]</mo></mrow><mrow><msup><mi>F</mi><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></msup><mo>[</mo><msub><mi>E</mi><mrow><mi>plane</mi><mo>_</mo><mi>s</mi></mrow></msub><mrow><mo>(</mo><mi>&alpha;</mi><mo>)</mo></mrow><mo>]</mo></mrow></mfrac><msup><mi>F</mi><mrow><mo>-</mo><mn>1</mn></mrow></msup><mo>[</mo><msub><mi>E</mi><mi>s</mi></msub><mrow><mo>(</mo><mi>&alpha;</mi><mo>)</mo></mrow><mo>]</mo><mo>;</mo></mrow></math>]]></maths>步骤5:对F<sup>-1</sup>[E<sub>si</sub>(α)]进行傅里叶变换,得到目标的远场散射值E<sub>si</sub>(α),F<sup>-1</sup>[·]为逆傅里叶变换。
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