减小等离子体刻蚀中的反射功率的方法

摘要

本发明公开了一种减小等离子体刻蚀中的反射功率的方法，对所需刻蚀的晶圆依次进行稳定化处理工艺、绝缘抗反射层刻蚀工艺、黏接层去除工艺、主蚀刻工艺、底黏接层去除工艺、过刻蚀工艺和释放电荷工艺后，完成对晶圆的金属层的刻蚀，其特征在于，该方法还包括：在所述绝缘抗反射层刻蚀工艺和黏接层去除工艺之间进行转变处理工艺。通过使用本发明所提供的方法，可有效地减小反射功率，提高产品的良率。

主权项

一种减小等离子体刻蚀中的反射功率的方法，对所需刻蚀的晶圆依次进行稳定化处理工艺、绝缘抗反射层刻蚀工艺、黏接层去除工艺、主蚀刻工艺、底黏接层去除工艺、过刻蚀工艺和释放电荷工艺后，完成对晶圆的金属层的刻蚀，其特征在于，该方法还包括：在所述绝缘抗反射层刻蚀工艺和黏接层去除工艺之间进行转变处理工艺；所述转变处理工艺包括：将源功率降低到预先设置的第一源功率值，并使所述降低后的源功率在预先设定的源功率持续时间内保持不变，然后再将所述降低后的源功率降低到黏接层去除工艺所需的源功率值。