半导体集成电路器件及高频功率放大器模块

摘要

通过防止插入损耗的减少，减少了天线开关的谐波失真，同时确保了足够的升压电压。在向控制端子施加导通状态的电压时，导通了设置在天线端子和发射端子之间的天线开关，PCS/DCS系统的发射信号从发射端子通过天线端子传送。这时，由于二极管的整流，供给一部分发射信号的升压器电路在输出端子处生成比从控制器输出的控制电压高的升压电压，并将该升压电压施加到天线开关的晶体管电路的栅极。由于在升压器电路中电阻器耦合到输出端子，RF信号路径中的输入发射功率所经过的电阻器只有一个电阻器，由此减少了发射信号的衰减并提供了优良的插入损耗特性。

主权项

一种半导体集成电路器件，包括：第一端子，耦合到天线；多个第二端子，耦合到发射电路；切换晶体管电路，分别设置在所述第一端子和所述第二端子之间，对所述第一端子和所述第二端子之间的连接进行切换；以及升压器电路，生成并输出比所述切换晶体管电路的控制信号更高的升压电压；其中所述升压器电路包括：控制端子，向其输入所述切换晶体管电路的控制信号；升压端子，输出升压电压；升压部件，当所述控制信号输入到所述控制端子时获得经由所述切换晶体管电路输出的发射信号，并生成比所输入的控制信号的电压电平高的升压电压且经由所述升压端子将所生成的升压电压施加到所述切换晶体管电路的控制端子；以及损耗改善电阻器，耦合在所述第二端子和所述升压端子之间，减少所述发射信号的电压衰减，其中所述升压部件包括：第一电容性元件，其一个连接部分耦合到所述第二端子；第一电阻器，其一个连接部分耦合到所述第一电容性元件的另一连接部分；第一二极管，其阴极耦合到所述第一电阻器的另一连接部分；第二电容性元件，其一个连接部分耦合到所述第一二极管的阳极；第二电阻器，其一个连接部分耦合到所述第一电容性元件的另一连接部分；第二二极管，其阳极耦合到所述第二电阻器的另一连接部分，且其阴极耦合到所述第二电容性元件的另一连接部分；以及第三电阻器，其一个连接部分耦合到所述控制端子和所述第一二极管的阳极，且其另一连接部分耦合到所述升压端子；以及其中所述损耗改善电阻器耦合在所述第一电容性元件的另一连接部分和所述升压端子之间。