使用被接合的金属平面的3维集成结构和方法

摘要

一种制造3D集成电路的方法和3D集成电路结构。存在接合至第二半导体结构的第一半导体结构。各半导体结构包括半导体晶片、所述半导体晶片上的前段(FEOL)布线、所述FEOL布线上的后段(BEOL)布线、所述BEOL布线上的绝缘体层和所述绝缘体层上的金属层。所述第一半导体结构与所述第二半导体结构对齐，使得各所述半导体结构的金属层相互面对。各所述半导体结构的金属层通过金属对金属键相互接触并且接合，其中接合的金属层形成电隔离层。

主权项

一种制造3维集成电路的方法，包括的步骤是：获得第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一半导体晶片、第一半导体晶片上的前段布线，前段布线上的后段布线，后段布线上的绝缘体层和绝缘体层上的金属层；获得第二半导体结构，所述第二半导体结构包括第二半导体晶片、第二半导体晶片上的前段布线，前段布线上的后段布线，后段布线上的绝缘体层和绝缘体层上的金属层；对齐第一半导体结构和第二半导体结构，使得第一和第二半导体结构的金属层相互面对；并且相互接触并且接合第一和第二半导体结构的金属层，其中接合的金属层形成被电隔离的层。