一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法

摘要

本发明公开了一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。由于金属Ti在HF基腐蚀液中的电化学电势低于结构层半导体材料的电化学电势，因而Ti替代半导体材料，与贵金属层构成原电池，并作为原电池正极在HF基腐蚀液中发生氧化反应，从而有效避免了半导体结构层材料被电化学腐蚀，并保证了金属层与其它结构层的牢固结合。

主权项

一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，其特征在于，该方法包括：在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层；其中，利用金属Ti代替半导体材料优先形成原电池的负极，能够达到保护半导体结构层的目的，此过程中金属Ti自身被消耗掉；以及在对SiO2湿法腐蚀结束后，去除光刻胶和贵金属表面未被HF基腐蚀液耗尽的金属Ti层，获得被保护的器件结构。