发明名称 一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套
摘要 本发明公开了一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套,包括同轴设置的法兰一、内套筒和外套筒,法兰一的盘体上开有充气孔和环形凹槽一,内套筒固定在法兰一盘体的内部侧壁上,环形凹槽一与内套筒形成缓冲腔,且充气孔与缓冲腔相通,外套筒固定在法兰一的盘体下端面上且位于内套筒的外侧,且在外套筒和内套筒之间形成充气缝隙,充气缝隙与缓冲腔相通。本发明结构简单,设计合理,能提高系统的稳定性,并能有效地提高硅单晶的生长速度,提高生产效率,广泛适用于半导体硅单晶生长设备和其它单晶生长设备中。
申请公布号 CN102011174B 申请公布日期 2012.07.25
申请号 CN201010565417.4 申请日期 2010.11.30
申请人 江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 发明人 李留臣
分类号 C30B15/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B15/00(2006.01)I
代理机构 西安弘理专利事务所 61214 代理人 罗笛
主权项 一种直拉式硅单晶生长炉用气冷套,其特征在于,包括同轴设置的法兰一(1)、内套筒(4)和外套筒(9),所述法兰一(1)的盘体上开有一径向方向的充气孔(2),所述内套筒(4)固定在所述法兰一(1)盘体的内部侧壁上,在所述法兰一(1)的盘体内侧开有环形凹槽一,所述环形凹槽一与内套筒(4)形成环形且密闭的缓冲腔(3),所述充气孔(2)与所述缓冲腔(3)相通;所述外套筒(9)固定在法兰一(1)的盘体下端面上且位于内套筒(4)的外侧,所述外套筒(9)和内套筒(4)之间形成环形的充气缝隙(10),所述充气缝隙(10)与所述缓冲腔(3)相通;所述外套筒(9)的上端固定有法兰二(7),所述法兰二(7)与所述法兰一(1)通过螺栓固定连接,在所述法兰二(7)上且位于所述外套筒(9)的内侧呈环形分布均匀开有多个初次分流孔(6),在法兰一(1)的盘体上且位于缓冲腔(3)和法兰二(7)之间开有环形槽,并通过所述环形槽和初次分流孔(6)使缓冲腔(3)和充气缝隙(10)相通。
地址 213200 江苏省常州市金坛市华城路318号