发明名称 一种用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法
摘要 一种用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法,以高纯氧化铝为原料用造粒机制备氧化铝颗粒,放入盛料坩埚里,通过高频等离子加热装置对氧化铝颗粒烧结,得到高纯氧化铝烧结体。其优点是:高纯氧化铝在造粒、烧结过程中不引入其他杂质,不需添加粘结剂,避免了二次污染;采用高频等离子加热装置,设备成本低,生产效率高,避免了炉体的保温材料和发热材料的挥发物对氧化铝的污染;制得氧化铝烧结体堆积密度为3.7g/cm3~4.1g/cm3,纯度为99.999%~99.9999%,为泡生法生长蓝宝石单晶提供原料,可得到高品质和低缺陷密度的蓝宝石晶体。
申请公布号 CN102603273A 申请公布日期 2012.07.25
申请号 CN201210061392.3 申请日期 2012.03.10
申请人 锦州晶城新能源材料制造有限公司 发明人 张海霞;车永军;任雷
分类号 C04B35/10(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I 主分类号 C04B35/10(2006.01)I
代理机构 锦州辽西专利事务所 21225 代理人 李辉
主权项 一种用于蓝宝石单晶生长的高纯氧化铝烧结体的制备方法,其特征是:1.1高纯氧化铝造粒以高纯氧化铝为原料,所述的高纯氧化铝纯度≥99.999%,杂质的含量Fe<0.0006%、Si<0.0005%、Zr<0.0001%、Cu<0.0001%、K<0.0001%、Na<0.0001%;用造粒机制备粒径为1mm~6mm,密度为2.0g/cm3~3.0g/cm3的氧化铝颗粒,所述的造粒机与原料接触部件均采用99.99%的氧化铝烧结陶瓷结构或钢芯外涂覆99.99%氧化铝涂层结构;1.2氧化铝颗粒烧结用99.99%的氧化铝烧结的陶瓷坩埚或涂覆99.99%氧化铝涂层的坩埚作为盛料坩埚,将制得的氧化铝颗粒放入盛料坩埚里,通过高频等离子加热装置使坩埚中的氧化铝颗粒升温至1850℃~2100℃对氧化铝颗粒烧结,烧结时间为30min~50min,停止加热,坩埚自然冷却,得到纯度为99.999%~99.9999%高纯氧化铝烧结体。
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