| 发明名称 | 一种钛锡酸锶薄膜的用途 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种钛锡酸锶薄膜在阻变存储器中的应用。所述钛锡酸锶薄膜的化学组成为SrTi(1-x)SnxO3，其中0.01≤x≤0.25。本发明的钛锡酸锶薄膜具有优良的电阻切变特性，可作为阻变存储器的介质层。将该薄膜用于阻变存储器中，可使具有“底电极/SrTi(1-x)SnxO3薄膜/顶电极”结构的存储单元表现出优异的具有记忆效应的电脉冲诱发电阻切变性能，具有新一代非挥发性阻变存储器的特点，并且具备新一代存储器所需要的高速度，低功耗读写特性；其高电阻态与低电阻态可以保持十年以上。 | ||
| 申请公布号 | CN101800282B | 申请公布日期 | 2012.07.25 |
| 申请号 | CN201010110227.3 | 申请日期 | 2010.02.20 |
| 申请人 | 同济大学 | 发明人 | 翟继卫;周歧刚 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 许亦琳;余明伟 |
| 主权项 | 钛锡酸锶薄膜的用途，其特征在于，所述钛锡酸锶薄膜用作阻变存储器的介质层；所述钛锡酸锶薄膜的化学组成为SrTi(1‑x)SnxO3，其中0.01≤x≤0.25；所述钛锡酸锶薄膜的厚度为40～80nm。 | ||
| 地址 | 200092 上海市杨浦区四平路1239号 | ||