发明名称 具有共同封装的肖特基二极体的高压高功率升压变换器
摘要 本发明公开了一种高压高功率的升压变换器。该升压变换器包括升压变换器IC和分立肖特基二极体,两者共同封装在标准的单共用晶片区上。
申请公布号 TWI369062 申请公布日期 2012.07.21
申请号 TW097121325 申请日期 2008.06.06
申请人 万国半导体股份有限公司 百慕达 发明人 张艾伦;郑伟强
分类号 H02M3/155 主分类号 H02M3/155
代理机构 代理人 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项
地址 百慕达