| 摘要 |
本发明系揭示一高效能太阳能电池。更具体而言，系提供一太阳能电池包含一第一导电型半导体基质、形成于第一导电型半导体基质上且具有与该基质相反导电型之一第二导电型之半导体层、一介面介层为一p-n接面、一后端电极与该第一导电型半导体基质至少有一部分之接触、一前端电极与该第二导电型射极层至少有一部分之接触、一氮氧化矽钝化层系直接位于该第二导电型射极层上，及一氮化矽抗反射层系位于该氮氧化矽钝化层上；及一制造该电池之方法。;因此，依据本发明之太阳能电池系藉由提供一钝化层及抗反射层所组成之一双反射薄层结构来最小化一吸收光之反射进而能改善一光电转换效能，同时经由该钝化层有效防止载体重组发生于一半导体表面。再者，本发明经由在原位持续形成该双反射薄层结构之大量生产能力而能够大大的减低生产成本。 |
