与半导体功率装置积体的多级ＥＳＤ保护电路的优化布图结构

摘要

本发明涉及一个在半导体衬底上支持的半导体功率装置，其包括多个电晶体单元，每一个电晶体单元都具有源极和漏极以及控制源极和漏极之间传输电流的栅极。该半导体还包括连接到源区的源极金属层，和构造为围绕衬底的周边区域的连接到栅极区的金属带的栅极金属层，其中，栅极金属层和栅极区通过金属间隙与源极金属层分离。该半导体功率装置还包括ESD保护电路，该ESD保护电路包括构成ESD二极体的多个相反导电性的掺杂多晶矽区域，该ESD二极体横跨金属间隙延伸并在衬底的周边区域上连接在栅极金属层和源极金属层之间。