发明名称 薄膜电晶体之制造方法
摘要 一种薄膜电晶体之制造方法,薄膜电晶体含有通道层11,通道层11具有氧化铟,所述方法包括形成氧化铟膜作为通道层,以及使所形成的氧化铟膜在氧化氛围中受到退火。
申请公布号 TWI368996 申请公布日期 2012.07.21
申请号 TW096141623 申请日期 2007.11.05
申请人 佳能股份有限公司 日本 发明人 板垣奈穗;岩崎达哉;田透
分类号 H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1368 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本