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发明名称
薄膜电晶体之制造方法
摘要
一种薄膜电晶体之制造方法,薄膜电晶体含有通道层11,通道层11具有氧化铟,所述方法包括形成氧化铟膜作为通道层,以及使所形成的氧化铟膜在氧化氛围中受到退火。
申请公布号
TWI368996
申请公布日期
2012.07.21
申请号
TW096141623
申请日期
2007.11.05
申请人
佳能股份有限公司 日本
发明人
板垣奈穗;岩崎达哉;田透
分类号
H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1368
主分类号
H01L29/786
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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