Ｃｕ-Ｍｎ合金溅镀靶及半导体配线

摘要

本发明关于一种Cu-Mn合金溅镀靶，其特征在于：含有Mn0.05~20wt%，Be、B、Mg、Al、Si、Ca、Ba、La、Ce总计在500wtppm以下，剩余部分为Cu及不可避免之杂质。提供一种使半导体用铜合金配线本身具有自我扩散抑制功能，可有效防止活性Cu之扩散所导致之配线周围的污染，又可提高抗电迁移(EM)性、抗蚀性等，可任意且容易地形成阻障层，并且可使半导体用铜合金配线之成膜步骤简单化之半导体用铜合金配线及用以该配线之溅镀靶、以及半导体用铜合金配线之形成方法。