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经营范围
发明名称
磊晶晶圆之制造方法
摘要
本发明提供一种磊晶晶圆,其系使晶圆背面与截角面之边界区域的伤痕导致之在元件制程中的微粒消除。由于背面与截角面之边界区域的伤痕系于伤痕除去步骤中除去,故于元件制程中之蚀刻液浸渍时不会存在由伤痕所产生的微粒而可提高元件之产率。
申请公布号
TWI368938
申请公布日期
2012.07.21
申请号
TW097142974
申请日期
2008.11.07
申请人
胜高股份有限公司 日本
发明人
高石和成;三浦友纪
分类号
H01L21/205;H01L21/304
主分类号
H01L21/205
代理机构
代理人
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项
地址
日本
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