使用培养期沉积之具有减小之图案负荷的矽－臭氧ＣＶＤ

摘要

本发明所揭露的态样属于沉积共形的氧化矽层于图案化基材上的方法。在实施例中，透过将一含矽前驱物与臭氧流进一处理腔室，使得横跨该图案化基材表面达成一相对均匀的介电质生长速率，而沉积介电层，该图案化基材表面具有异质的材料及/或一异质的图案密度分布。根据实施例生长的介电层沉积对下伏材料与图案密度的依赖性可减少，同时适合非牺牲性的应用。对图案密度的依赖性减少是透过在接近一培养期终期时终结沉积而达成。可依序实施多重沉积的循环，因为培养期的有利本质可在沉积中的一暂停后重覆。