氮化物半导体基板及半导体装置

摘要

提供氮化物系半导体基板以及半导体装置，在确保充分的导电性的同时，亦具有高导热率和高电子移动率。;氮化物系半导体基板，系由直径25mm以上且厚度250μm以上的氮化物系半导体构成的基板，n型载体浓度为1.2×1018cm－3~3×1019cm－3，并且导热率为1.2W/cmK~3.5W/cmK。另外，在该氮化物系半导体基板上，磊晶成长氮化物系半导体来制成半导体装置。