发明名称 |
半导体装置的制造方法,半导体装置的制造系统,程式及电脑可读取的记录媒体 |
摘要 |
本发明系提供一种半导体装置的制造方法,系以具备有半导体基板、形成于前述半导体基板上的高介电质膜、形成于比前述高介电质膜更上层具有反射防止功能与金属遮光膜功能的SiC膜的层积体,来制造半导体装置的方法。本发明系具备有:使电浆在前述SiC膜及前述高介电质膜作用而改质的电浆处理制程;以及藉由湿洗净,整体除去在前述电浆处理制程被改质的前述SiC膜及前述高介电质膜的洗净处理制程。 |
申请公布号 |
TWI368944 |
申请公布日期 |
2012.07.21 |
申请号 |
TW094146529 |
申请日期 |
2005.12.26 |
申请人 |
东京威力科创股份有限公司 日本 |
发明人 |
葛兰 盖尔;广田良浩;村木雄介;中村源志;栉引理人;新藤尚树;清水昭贵;芦垣繁雄;加藤良裕 |
分类号 |
H01L21/3065 |
主分类号 |
H01L21/3065 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
主权项 |
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地址 |
日本 |