| 摘要 |
Носитель кристалла СВЧ-прибора или интегральной схемы, содержащий основу из высокоомного материала с балочными выводами, лежащими на одной поверхности основы, отличающийся тем, что основа выполнена из полуизолирующего полупроводника, а в областях соединения выводов с поверхностью основы в ней создано одно или несколько углублений. |
