Halbleiter, Leuchtiode und Laseriode

摘要

Halbleitermaterial (1) umfassend eine Schichtstruktur mit einer ersten Materialschicht (2) aus AlGaP, mit einer zweiten Materialschicht (3) aus AlGaP und mit einer Vielzahl von zwischen den AlGaP-Materialschichten (2, 3) angeordneten Quantenpunkten (5), wobei die erste (2) und die zweite Materialschicht (3) AlGaP umfasst, wobei die Quantenpunkte (5) aus AlInP, GaInP und/oder AlGaInP aufgebaut sind und eine indirekte Bandlücke zeigen, und wobei in Richtung (4) des Schichtaufbaus jeweils mehrere Quantenpunkte (5) übereinander angeordnet und hierbei einzeln durch eine Zwischenlage (6) aus GaP und/oder Al/GaInP voneinander beabstandet sind. Weiter werden eine Leucht- und eine Laserdiode mit einem solchem Halbleitermaterial (1) angegeben. Mit dem angegebenen Halbleitermaterial (1) kann eine effiziente Lichtemission bis in den grünen Sprektralbereich hinein erzielt werden.