| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Erzeugen eines SiC-Einkristalls unter Verwendung des Lösungsverfahrens bereit, das die Bildung von Defekten aufgrund des Inkontaktbringens eines Impfkristalls mit der Schmelze für einen Impfkontakt verhindert und dadurch ein Wachstum eines Si-Einkristalls mit verringerter Defektdichte bewirkt. Das Verfahren der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Erzeugen eines SiC-Einkristalls, das bewirkt, dass ein SiC-Einkristall eine Si-haltige Schmelze in einem Graphittiegel berührt, um dadurch ein Wachstum des SiC-Einkristalls auf dem SiC-Einkristall zu bewirken, dadurch gekennzeichnet, dass bewirkt wird, dass der SiC-Impfkristall die Schmelze in einem Zustand berührt, in dem noch keine C-Sättigung vorliegt.</p> |
