微波太赫兹波探测器及其制备方法

摘要

本发明揭示了一种微波太赫兹波探测器及其制备方法，以高电子迁移率晶体管为基本结构，该探测器在有源区的台面设有背栅和至少一个长度介于1μm至1mm的条状结构，条状结构中设有呈凹型结构或带指状的正栅，条状结构的两端形成与二维电子气通道欧姆接触的电极，且凹型结构凹处或指与电极的间距为0.5μm至500μm，其中所述背栅刻蚀深度为直达衬底。并且本发明提出了完整而可行的该种探测器制备方法。应用本发明的技术方案，较之于传统的探测器系统的显著优点为：能够无需依赖任何光学元件辅助，即可实现对微波-太赫兹波辐射的功率响应和频率响应，为降低探测器系统复杂程度、减少成本提供了一种切实保障。

主权项

微波太赫兹波探测器，以高电子迁移率晶体管为基本结构，所述高电子迁移率晶体管具有衬底、缓冲层、二维电子气通道、隔离层、掺杂层及盖帽层，其特征在于：所述探测在有源区的台面设有背栅和至少一个长度介于1μm至1mm的条状结构，所述条状结构中设有呈凹型结构或带指状的正栅，条状结构的两端形成与二维电子气通道欧姆接触的电极，且所述凹型结构凹处或指与电极的间距为0.5μm至500μm，其中所述背栅刻蚀深度为直达衬底。