发明名称 | 一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法 | ||
摘要 | 一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法,涉及工业硅的提纯方法。将工业硅加入石墨坩埚中;启动中频感应电源加热,按功率增加依次添加造渣剂到石墨坩埚中;待物料熔化后,维持功率不变,反应温度控制在1600~1800℃,使硅液和造渣剂混合反应;造渣充分后,降低中频频率,将渣系倒入应接水箱中,水冷后硅与渣基本分离,取样经等离子电感耦合质谱仪分析测量硅中B,P杂质含量。采用掺杂氯化物作为造渣剂的组分,使得渣硅更容易分离,同时对硅中杂质B、P有非常明显的去除效果,造渣完成后结合定向凝固和酸洗等工艺,可得到太阳能级多晶硅。整个工艺流程简单快捷,安全性能好,非常适用于工业化生产。 | ||
申请公布号 | CN102583386A | 申请公布日期 | 2012.07.18 |
申请号 | CN201210024702.4 | 申请日期 | 2012.02.03 |
申请人 | 厦门大学 | 发明人 | 罗学涛;余德钦;林彦旭;方明;卢成浩;李锦堂 |
分类号 | C01B33/037(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人 | 马应森 |
主权项 | 一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法,其特征在于包括以下步骤:1)配好造渣剂;2)将工业硅加入石墨坩埚中;3)启动中频感应电源加热,均匀增加功率,按功率增加依次添加造渣剂到石墨坩埚中;4)待物料熔化后,维持功率不变,反应温度控制在1600~1800℃,同时搅拌使硅液和造渣剂混合反应;5)造渣充分后,降低中频频率,将渣系倒入应接水箱中,水冷后硅与渣分离。 | ||
地址 | 361005 福建省厦门市思明南路422号 |