发明名称 一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法
摘要 一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法,涉及工业硅的提纯方法。将工业硅加入石墨坩埚中;启动中频感应电源加热,按功率增加依次添加造渣剂到石墨坩埚中;待物料熔化后,维持功率不变,反应温度控制在1600~1800℃,使硅液和造渣剂混合反应;造渣充分后,降低中频频率,将渣系倒入应接水箱中,水冷后硅与渣基本分离,取样经等离子电感耦合质谱仪分析测量硅中B,P杂质含量。采用掺杂氯化物作为造渣剂的组分,使得渣硅更容易分离,同时对硅中杂质B、P有非常明显的去除效果,造渣完成后结合定向凝固和酸洗等工艺,可得到太阳能级多晶硅。整个工艺流程简单快捷,安全性能好,非常适用于工业化生产。
申请公布号 CN102583386A 申请公布日期 2012.07.18
申请号 CN201210024702.4 申请日期 2012.02.03
申请人 厦门大学 发明人 罗学涛;余德钦;林彦旭;方明;卢成浩;李锦堂
分类号 C01B33/037(2006.01)I 主分类号 C01B33/037(2006.01)I
代理机构 厦门南强之路专利事务所 35200 代理人 马应森
主权项 一种掺杂氯化物的渣系去除工业硅中硼磷杂质的方法,其特征在于包括以下步骤:1)配好造渣剂;2)将工业硅加入石墨坩埚中;3)启动中频感应电源加热,均匀增加功率,按功率增加依次添加造渣剂到石墨坩埚中;4)待物料熔化后,维持功率不变,反应温度控制在1600~1800℃,同时搅拌使硅液和造渣剂混合反应;5)造渣充分后,降低中频频率,将渣系倒入应接水箱中,水冷后硅与渣分离。
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